N-jenis M2 monocrystalline silikon wafer mempunyai reka bentuk kuasi-persegi 156.75 × 156.75 mm dengan sudut bulat, mengimbangi keserasian dengan susun atur modul standard dan penangkapan cahaya yang dioptimumkan. Dihasilkan menggunakan kaedah CZ dan doping fosforus, ia menawarkan kesucian bahan yang tinggi,<100>orientasi, dan ketumpatan dislokasi rendah (kurang daripada atau sama dengan 500 cm ²). Dengan kekonduksian N-jenis, pelbagai resistiviti (0.2-12 Ω · cm), dan seumur hidup pembawa minoriti yang tinggi (lebih besar daripada atau sama dengan 1000 μs), ia menyokong teknologi sel kecekapan tinggi seperti TOPCON dan HJT. Wafer M2 kekal sebagai format yang terbukti dan boleh dipercayai untuk prestasi yang stabil dalam aplikasi PV arus perdana.
1. Hartanah bahan
|
Harta |
Spesifikasi |
Kaedah pemeriksaan |
|
Kaedah Pertumbuhan |
Cz |
|
|
Crystallinity |
Monocrystalline |
Teknik Etch Keutamaan(ASTM F47-88) |
|
Jenis kekonduksian |
N-jenis |
Napson EC-80TPN |
|
Dopan |
Fosforus |
- |
|
Kepekatan oksigen [OI] |
Kurang daripada atau sama dengan8e +17 at/cm3 |
FTIR (ASTM F121-83) |
|
Kepekatan karbon [CS] |
Kurang daripada atau sama dengan5e +16 at/cm3 |
FTIR (ASTM F123-91) |
|
Ketumpatan lubang etch (ketumpatan kehelan) |
Kurang daripada atau sama dengan500 cm-2 |
Teknik Etch Keutamaan(ASTM F47-88) |
|
Orientasi permukaan |
<100>± 3 darjah |
Kaedah difraksi sinar-X (ASTM F26-1987) |
|
Orientasi sisi persegi pseudo |
<010>,<001>± 3 darjah |
Kaedah difraksi sinar-X (ASTM F26-1987) |
2. Sifat -sifat Elektrik
|
Harta |
Spesifikasi |
Kaedah pemeriksaan |
|
Resistivity |
0.2-2.0 Ω.CM 0.5-3.5 Ω.CM
1.0-7.0 ω.cm
1.5-12 ω.cm
|
4-Probe Resistivity
Pengukuran
|
|
MCLT (seumur hidup pembawa minoriti) |
Lebih besar daripada atau sama dengan 1000 μs (resistiviti ＞ 1.0 Ω.cm) Lebih besar daripada atau sama dengan 500 μs (resistiviti ＜ 1.0 Ω.cm
|
Sinton BCT-400 Sementara
(Dengan tahap suntikan: 5e14 cm-3)
|
3. GEOMETRY
|
Harta |
Spesifikasi |
Kaedah pemeriksaan |
|
Geometri |
Quasi Square
|
Caliper Vernier
|
|
Diameter
|
210 ± 0.25 mm
|
Caliper Vernier |
|
Rata hingga rata
|
156.75 ± 0.25 mm
|
Caliper Vernier
|
|
Panjang sudut
|
8.5 ± 0.5mm
|
Square/penguasa yang luas
|
|
Angularity
|
90 darjah ± 0.2 darjah |
Penguasa sudut
|
|
Bentuk sudut
|
Bentuk bulat
|
Pemeriksaan visual
|
|
Perpendicularit
|
Kurang dari atau sama dengan 0.8 mm
|
|
|
TTV (jumlah variasi ketebalan) |
Kurang daripada atau sama dengan 27 µm |
Sistem pemeriksaan wafer |
4.Sifat permukaan
|
Harta |
Spesifikasi |
Kaedah pemeriksaan |
|
Surface Qualit
|
Noda, minyak, gores, retak, lubang, benjolan,
Kecacatan pinhole dan kembar tidak
dibenarkan
|
Pemeriksaan visual
|
|
Cip
|
Cip permukaan tidak dibenarkan;
Arris: Cip tidak konsisten:
Kurang daripada 10 pada arris, dia kurang daripada atau sama dengan 0.3mm;
|
Pembaris
|
|
Permukaan kasar
|
Permukaan satah: ra kurang daripada atau sama dengan 0.6um;
Permukaan cambered: ra kurang daripada atau sama dengan 1.0um
|
Meter kekasaran permukaan
|
Cool tags: N-Type M2 Monocrystalline Silicon Wafer Spesifikasi, China, Pembekal, Pengilang, Kilang, Dibuat di China
