Spesifikasi ini mentakrifkan wafer silikon monocrystalline N-jenis (saiz M10) untuk sel solar maju. Dihasilkan melalui kaedah czochralski dengan doping fosforus, wafer mempunyai kepekatan oksigen yang rendah (sehingga 8e17 pada/cm³), kepekatan karbon rendah (sehingga 5e16 pada/cm³), ketumpatan lubang etch sehingga 500 cm ²<100>.
Ciri -ciri elektrik utama termasuk julat resistiviti 1.0 hingga 7.0 Ω.cm dan seumur hidup pembawa minoriti yang tinggi (minimum 1000 μs).
Wafers mempunyai geometri pseudo-square yang dioptimumkan dengan panjang sisi 182 mm (toleransi 0.25 mm), diameter 247 mm (toleransi 0.25 mm), dan sisi bersebelahan pada 90 darjah (toleransi 0.2 darjah). Terdapat ketebalan dari 150 hingga 180 μm (dengan toleransi), mereka memastikan variasi ketebalan yang minimum (maksimum TTV 27 μm). Kualiti permukaan dikawal ketat ("seperti yang dipotong dan dibersihkan"), melarang pencemaran dan retak mikro, dengan had pada tanda saw (maksimum 15 μm), tunduk, dan warp (maksimum 40 μm setiap satu). Format besar ini menyokong peralihan industri ke arah penangkapan cahaya yang dioptimumkan.
1. Hartanah bahan
|
Harta |
Spesifikasi |
Kaedah pemeriksaan |
|
Kaedah Pertumbuhan |
Cz |
|
|
Crystallinity |
Monocrystalline |
Teknik Etch Keutamaan(ASTM F47-88) |
|
Jenis kekonduksian |
N-jenis |
Napson EC-80TPN |
|
Dopan |
Fosforus |
- |
|
Kepekatan oksigen [OI] |
Kurang daripada atau sama dengan8e +17 at/cm3 |
FTIR (ASTM F121-83) |
|
Kepekatan karbon [CS] |
Kurang daripada atau sama dengan5e +16 at/cm3 |
FTIR (ASTM F123-91) |
|
Ketumpatan lubang etch (ketumpatan dislokasi) |
Kurang daripada atau sama dengan500 cm-2 |
Teknik Etch Keutamaan(ASTM F47-88) |
|
Orientasi permukaan |
<100>± 3 darjah |
Kaedah difraksi sinar-X (ASTM F26-1987) |
|
Orientasi sisi persegi pseudo |
<010>,<001>± 3 darjah |
Kaedah difraksi sinar-X (ASTM F26-1987) |
2. Sifat -sifat Elektrik
|
Harta |
Spesifikasi |
Kaedah pemeriksaan |
|
Resistivity |
1.0-7.0 ω.cm
|
Sistem pemeriksaan wafer |
|
MCLT (seumur hidup pembawa minoriti) |
Lebih besar daripada atau sama dengan 1000 μ |
Sinton BCT-400
Sementara
(Dengan tahap suntikan: 5e14 cm-3)
|
3. GEOMETRY
|
Harta |
Spesifikasi |
Kaedah pemeriksaan |
|
Geometri |
Pseudo Square |
|
|
Bentuk kelebihan bevel
|
bulat | |
|
Panjang sampingan wafer |
182 ± 0.25 mm
|
Sistem pemeriksaan wafer |
|
Diameter wafer |
φ247 ± 0.25 mm |
Sistem pemeriksaan wafer |
|
Sudut antara sisi bersebelahan |
90 darjah ± 0.2 darjah |
Sistem pemeriksaan wafer |
|
Ketebalan |
180 ﹢ 20/﹣10 µm
175﹢ 20/﹣10 µm
170﹢ 20/﹣10 µm
165﹢ 20/﹣10 µm
160﹢ 20/﹣10 µm
150﹢ 10/﹣10 µm
|
Sistem pemeriksaan wafer |
|
TTV (jumlah variasi ketebalan) |
Kurang daripada atau sama dengan 27 µm |
Sistem pemeriksaan wafer |
4.Sifat permukaan
|
Harta |
Spesifikasi |
Kaedah pemeriksaan |
|
Kaedah pemotongan |
DW |
-- |
|
Kualiti permukaan |
Seperti yang dipotong dan dibersihkan, tiada pencemaran yang kelihatan, (minyak atau gris, cetakan jari, noda sabun, noda buburan, noda epoksi/gam tidak dibenarkan) |
Sistem pemeriksaan wafer |
|
Melihat tanda / langkah |
Kurang dari atau sama dengan 15μm |
Sistem pemeriksaan wafer |
|
Tunduk |
Kurang daripada atau sama dengan 40 μm |
Sistem pemeriksaan wafer |
|
Warp |
Kurang daripada atau sama dengan 40 μm |
Sistem pemeriksaan wafer |
|
Cip |
kedalaman kurang daripada atau sama dengan 0.3mm dan panjang kurang daripada atau sama dengan 0.5mm max 2/pcs; Tiada V-Chip |
Mata telanjang atau sistem pemeriksaan wafer |
|
Retak / lubang mikro |
Tidak dibenarkan |
Sistem pemeriksaan wafer |
Cool tags: N-Type M10 Monocrystalline Silicon Wafer Spesifikasi, China, Pembekal, Pengilang, Kilang, Dibuat di China
