Dalam industri PV solar, peralihan teknologi wafer datang peralihan dari dataran pseudo156.75x156.75mm M2 kepada saiz wafer yang lebih besar di dataran penuh 158.75x158.75mm dan ini termasuk p-jenis dan n-jenis mono-Si wafer.
Full Square Mono Wafers yang canggih telah memaksimumkan pendedahan cahaya kepada tahap yang sama pelbagai wafer dengan memperluaskan langkah persegi. Wafer sentiasa dataran sepenuhnya supaya mereka sesuai dengan modul PV dengan cara yang optimum.
1 Sifat bahan
Hartanah | Spesifikasi | Kaedah Pemeriksaan |
Kaedah pertumbuhan | CZ | |
Kristalliniti | Monocrystalline | Teknik Etch keutamaan（ASTM F47-88） |
Jenis kekeliritian | Jenis N | Napson EC-80TPN |
Dopant | Fosforus | - |
Kepekatan oksigen[Oi] | ≦8E+17 at/cm3 | FTIR (ASTM F121-83) |
Kepekatan karbon[Cs] | ≦5E+16 at/cm3 | FTIR (ASTM F123-91) |
Ketumpatan lubang Etch (ketumpatan dislocation) | ≦500 sm-3 | Teknik Etch keutamaan（ASTM F47-88） |
Orientasi permukaan | <100>±3° | Kaedah Perencanaan X-ray (ASTM F26-1987) |
Orientasi sisi persegi pseudo | <010>,<001>±3° | Kaedah Perencanaan X-ray (ASTM F26-1987) |
2 Sifat elektrik
Hartanah | Spesifikasi | Kaedah Pemeriksaan |
Rintangan | 0.3-2.1 Ω.cm 1.0-7.0 Ω.cm | Sistem pemeriksaan wafer |
MCLT (seumur hidup pembawa minoriti) | ≧1000 μs (Rintangan 0.3-2.1 Ω.cm) | Sinton teladan |
3 Geometri
Hartanah | Spesifikasi | Kaedah Pemeriksaan |
Geometri | Dataran penuh | |
Panjang sisi wafer | 158.75±0.25 mm | sistem pemeriksaan wafer |
Wafer Diameter | φ223±0.25 mm | sistem pemeriksaan wafer |
Sudut antara sisi bersebelahan | 90° ± 0.2° | sistem pemeriksaan wafer |
Ketebalan | 180﹢20/﹣10 μm; 170﹢20/﹣10 μm | sistem pemeriksaan wafer |
TTV (Jumlah ketebalan variasi) | ≤27 μm | sistem pemeriksaan wafer |
4 Sifat permukaan
Hartanah | Spesifikasi | Kaedah Pemeriksaan |
Kaedah memotong | Dw | -- |
Kualiti permukaan | seperti dipotong dan dibersihkan, tiada pencemaran yang kelihatan, (minyak atau gris, cetakan jari, kotoran sabun, kotoran bubur, kotoran epoksi / gam tidak dibenarkan) | sistem pemeriksaan wafer |
Lihat markah / langkah | ≤ 15μm | sistem pemeriksaan wafer |
Tunduk | ≤ 40 μm | sistem pemeriksaan wafer |
Meledingkan | ≤ 40 μm | sistem pemeriksaan wafer |
Cip | kedalaman ≤0.3mm dan panjang ≤ 0.5mm Max 2/pcs; tiada V-cip | Mata kasar atau sistem pemeriksaan wafer |
Retak mikro / lubang | Tidak dibenarkan | sistem pemeriksaan wafer |
Cool tags: n taip wafer solar monocrystalline penuh, China, pembekal, pengeluar, kilang, dibuat di China
