-
![4H P-Jenis wafer SiC]()
4H P-Jenis wafer SiCSubstrat SiC jenis P- direka bentuk untuk pertumbuhan homoepitaxial dan pembangunan peranti semikonduktor kuasa voltan ultra-tinggi-ultra. Dengan ciri elektrik dan haba yang sangat baik, substrat SiC -
![4H Semi{1}}Wafer SiC Penebat]()
4H Semi{1}}Wafer SiC PenebatSubstrat SiC separa-penebat menawarkan kerintangan tinggi dan sifat terma yang sangat baik, menjadikannya sesuai untuk pertumbuhan heteroepitaxial GaN dan aplikasi semikonduktor RF frekuensi -
![4H N-Jenis Substrat SiC]()
4H N-Jenis Substrat SiCSubstrat SiC jenis N-dicipta untuk pertumbuhan homoepitaxial dalam pembuatan semikonduktor kuasa termaju. Dengan prestasi elektrik dan terma yang unggul, substrat SiC-berprestasi tinggi ini sesuai
