N Jenis Silikon Sel Suria

Teknologi Heterojunction Silikon (HJT) adalah berdasarkan medan permukaan emitter dan belakang (BSF) yang dihasilkan oleh pertumbuhan suhu rendah lapisan ultra nipis silikon amorphous (a-Si:H) di

Sel suria 210mm M12 Silicon Heterojunction Technology (HJT) mempunyai kecekapan 24.4 peratus dan kuasa undian sebanyak 10.76Watt setiap sel.

Teknologi Heterojunction Silikon (HJT) adalah berdasarkan pemancar dan medan permukaan belakang (BSF) yang dihasilkan oleh pertumbuhan suhu rendah lapisan ultra-nipis silikon amorf (a-Si:H) pada

Teknologi TOPCON (sentuhan pasif terowong oksida) meningkatkan kecekapan sel solar jenis N sehingga 25 peratus .Sel solar TOPCon 210mm industri adalah dengan kecekapan maksimum 24.4 peratus dan kuasa

TOPCON (tunnel oksida lulus kenalan) teknologi meningkatkan kecekapan sel solar jenis N sehingga 24.5%.Monocrystalline N jenis 182mm TOPCon sel solar adalah dengan kuasa berkadar 8.08Watt pada

Dinaik taraf dari teknologi PERT, teknologi TOPCON (terowongan oksida terentivasi) yang digabungkan dengan lapisan pasivasi AlOx / SiNx meningkatkan kecekapan sel solar jenis N 166mm hingga 24.4%.

Sel-sel solar silikon PERT (emitor pasif belakang sepenuhnya tersebar) N-jenis M mempunyai kecekapan penukaran yang tinggi dan stabil. Sel solar PERT bifasial jenis n boleh dihasilkan dengan aliran

N-jenis Mono bifacial PERT (diserahkan emitter belakang sepenuhnya meresap) sel-sel solar silikon mempunyai kecekapan penukaran yang tinggi dan stabil.Sel solar silikon jenis N dianggap sebagai

Dalam struktur sel contact back interdigitated (IBC) emitter dan contact keduanya berada di bahagian belakang wafer yang membolehkan pengoptimuman bebas permukaan depan untuk sifat optik dan

Sel N silikon tipe Mono bifacial (emitor pasif belakang sepenuhnya tersebar) sel suria silikon mempunyai kecekapan penukaran yang tinggi dan stabil. Sel suria silikon jenis N dianggap sebagai