Sel Suria HJT Mono Dwimuka Jenis N

Sel Suria HJT Mono Dwimuka Jenis N

Teknologi Heterojunction Silikon (HJT) adalah berdasarkan pemancar dan medan permukaan belakang (BSF) yang dihasilkan oleh pertumbuhan suhu rendah lapisan ultra-nipis silikon amorf (a-Si:H) pada kedua-dua belah wafer silikon monohabluran yang dibersihkan dengan sangat baik, kurang daripada 200 μm dalam ketebalan sel, di mana foton dijana dengan ketebalan sel yang telus, di mana elektron dijana dengan sempurna. oksida konduktif yang membolehkan pelogatan yang sangat baik. Metalisasi boleh dilakukan dengan percetakan skrin standard yang digunakan secara meluas dalam industri untuk kebanyakan sel atau dengan teknologi inovatif.
Share to
Hantar pertanyaan
Berbual sekarang
Description/kawalan
Parameter teknikal

 

 

Penerangan Produk

 

 

 

Struktur Teras Sel HJT

 

Teknologi Heterojunction Silikon (HJT) adalah berdasarkan pemancar dan medan permukaan belakang (BSF) yang dihasilkan oleh pertumbuhan suhu rendah lapisan ultra-nipis silikon amorf (a-Si:H) pada kedua-dua belah wafer silikon monohabluran yang dibersihkan dengan sangat baik, kurang daripada 200 μm dalam ketebalan dan ketebalan fotonnya.

product-1-1
HJT solar cell structure 400

Proses Fabrikasi Sel HJT

 

Proses sel dilengkapkan dengan pemendapan oksida konduktif lutsinar yang membolehkan pemetaan yang sangat baik. Metalisasi boleh dilakukan dengan percetakan skrin standard yang digunakan secara meluas dalam industri untuk kebanyakan sel atau dengan teknologi inovatif.

Kelebihan Teknologi HJT

 

Sel solar silikon teknologi Heterojunction (HJT) telah menarik banyak perhatian kerana ia boleh mencapai kecekapan penukaran yang tinggi, sehingga 25%, sambil menggunakan pemprosesan suhu rendah, biasanya di bawah 250 darjah untuk proses lengkap. Suhu pemprosesan yang rendah membolehkan pengendalian wafer silikon dengan ketebalan kurang daripada 100 μm sambil mengekalkan hasil yang tinggi.

Profile2

 

 

 

 

               

Aliran proses

 

 

 

                       

 

 

Process flow A black

 

 

Ciri-ciri utama

 

 

 

 

Eff tinggi dan Voc tinggi

Pekali suhu rendah 5-8% perolehan keluaran kuasa

Struktur dwimuka

 

【Data Teknikal】

 

HJT solar cell Technical Data 1R
 

DATA DAN REKA BENTUK TEKNIKAL PEKAL SUHU DAN KEBOLEHPATERIAN
Dimensi 156.75mm*156.75mm±0.25 TkUoc (%/K) -0.27
Ketebalan 190±30 µm TkIsc (%/K) +0.05
Depan 5 Busbar TkPMAX (%/K) -0.336
belakang 5 Busbar Kekuatan Kulit Minimum >1.4N/mm

 

HJT solar cell Technical Data 2R

 

Tidak. Kecekapan (%) Pmpp (W) Uoc (V) Isc (A) FF (%)
1 23.50 5.74 0.743 9.6 80.53
2 23.40 5.72 0.741 9.592 80.43
3 23.30 5.70 0.74 9.585 80.33
4 23.20 5.67 0.738 9.577 80.24
5 23.10 5.65 0.737 9.57 80.14
6 23.0 5.63 0.735 9.562 80.04
7 22.90 5.60 0.733 9.554 79.94
8 22.80 5.58 0.732 9.547 79.84
9 22.70 5.55 0.73 9.539 79.75
10 22.60 5.53 0.729 9.532 79.65
11 22.50 5.51 0.727 9.524 79.55
12 22.40 5.48 0.725 9.516 79.45
13 22.30 5.46 0.724 9.509 79.36
14 22.20 5.44 0.722 9.501 79.26
15 22.10 5.41 0.721 9.494 79.16
16 22.00 5.39 0.719 9.486 79.06
17 21.90 5.37 0.717 9.479 78.97
18 21.80 5.35 0.716 9.471 78.87
19 21.70 5.32 0.714 9.463 78.77
20 21.60 5.30 0.712 9.456 78.67
21 21.50 5.28 0.711 9.448 78.57

 

 

Sijil

 

 

4

 

 

1 1

  

 

 

Cool tags: N Type Mono Bifacial HJT Solar Cell, China, pembekal, pengilang, kilang, buatan China

Hantar pertanyaan
Hantar pertanyaan