Pengenalan Produk
Substrat SiC jenis N-dicipta untuk pertumbuhan homoepitaxial dalam pembuatan semikonduktor kuasa termaju. Dengan prestasi elektrik dan haba yang unggul,-prestasi tinggi inisubstrat SiCsesuai untuk-aplikasi kuasa tinggi merentas kenderaan elektrik, sistem fotovoltaik, kuasa angin dan teknologi tenaga baharu yang lain.
Rangkaian produk termasuk 6 inci dan 8 inciwafer SiCuntuk pengeluaran volum dan bekalan global, dengan keupayaan pengeluaran substrat 12-inci tersedia untuk aplikasi semikonduktor kuasa generasi akan datang.
Spesifikasi
| 6 inci | |
|---|---|
| Diameter | 150.0mm+0mm/-0.2mm |
| Orientasi Permukaan | 4 darjah ke arah<1120>±0.5 darjah |
| Panjang Rata Utama | 47.5 mm ±1.5 mm |
| Orientasi Rata Utama | <1120>±1.0 darjah |
| Orientasi Takik | / |
| Sudut Takik | / |
| Kedalaman Takik | / |
| Flat Sekunder | N/A |
| Ketebalan | 350.0um±25.0um |
| Politaip | 4H |
| taip | n-jenis |
| 8 inci | |
|---|---|
| Diameter | 200.0mm+0mm/-0.5mm |
| Orientasi Permukaan | 4 darjah ke arah<1120>±0.5 darjah |
| Panjang Rata Utama | Takik |
| Orientasi Rata Utama | / |
| Orientasi Takik | <1100>±1.0 darjah |
| Sudut Takik | 90 darjah +5 darjah /-1 darjah |
| Kedalaman Takik | 1.0mm+0.25mm/-0mm |
| Flat Sekunder | N/A |
| Ketebalan | 500.0um±25.0um |
| Politaip | 4H |
| taip | n-jenis |
| 12 inci | |
|---|---|
| Diameter | 300.0mm+0mm/-0.5mm |
| Orientasi Permukaan | 4 darjah ke arah<1120>±0.5 darjah |
| Panjang Rata Utama | Takik |
| Orientasi Rata Utama | / |
| Orientasi Takik | <1100>±5.0 darjah |
| Sudut Takik | 90 darjah +5 darjah /-1 darjah |
| Kedalaman Takik | 1.0mm+0.25mm/-0mm |
| Flat Sekunder | N/A |
| Ketebalan | 750.0um±25.0um |
| Politaip | 4H |
| taip | n-jenis |
Sijil
Cool tags: 4j n-substrat jenis sic, China, pembekal, pengilang, kilang, buatan China
