N-jenis M12 monocrystalline silikon wafer mengamalkan format pseudo persegi 210 × 210 mm yang besar (diameter φ295 mm), meningkatkan kawasan aktif dan meningkatkan output kuasa untuk modul PV kecekapan tinggi. Ditanam menggunakan kaedah CZ dan doped dengan fosforus, ia mempunyai a<100>Orientasi permukaan, ketumpatan dislokasi rendah (kurang daripada atau sama dengan 500 cm ²), dan kekonduksian N-jenis. Dengan pelbagai resistiviti 1.0-7.0 Ω · cm dan seumur hidup pembawa minoriti lebih besar daripada atau sama dengan 1000 μs, ia sesuai untuk teknologi sel solar maju seperti Topcon dan HJT. Geometri dan kualiti permukaan yang dioptimumkan M12 Wafer memastikan prestasi yang sangat baik dalam modul kuasa tinggi generasi akan datang.
1. Hartanah bahan
|
Harta |
Spesifikasi |
Kaedah pemeriksaan |
|
Kaedah Pertumbuhan |
Cz |
|
|
Crystallinity |
Monocrystalline |
Teknik Etch Keutamaan(ASTM F47-88) |
|
Jenis kekonduksian |
N-jenis |
Napson EC-80TPN |
|
Dopan |
Fosforus |
- |
|
Kepekatan oksigen [OI] |
Kurang daripada atau sama dengan8e +17 at/cm3 |
FTIR (ASTM F121-83) |
|
Kepekatan karbon [CS] |
Kurang daripada atau sama dengan5e +16 at/cm3 |
FTIR (ASTM F123-91) |
|
Ketumpatan lubang etch (ketumpatan dislokasi) |
Kurang daripada atau sama dengan500 cm-2 |
Teknik Etch Keutamaan(ASTM F47-88) |
|
Orientasi permukaan |
<100>± 3 darjah |
Kaedah difraksi sinar-X (ASTM F26-1987) |
|
Orientasi sisi persegi pseudo |
<010>,<001>± 3 darjah |
Kaedah difraksi sinar-X (ASTM F26-1987) |
2. Sifat -sifat Elektrik
|
Harta |
Spesifikasi |
Kaedah pemeriksaan |
|
Resistivity |
1.0-7.0 Ω.CM
|
Sistem pemeriksaan wafer |
|
MCLT (seumur hidup pembawa minoriti) |
Lebih besar daripada atau sama dengan 1000 μs
|
Sinton BCT-400 Sementara
(Dengan tahap suntikan: 5e14 cm-3)
|
3. GEOMETRY
|
Harta |
Spesifikasi |
Kaedah pemeriksaan |
|
Geometri |
Pseudo Square |
|
|
Bentuk kelebihan bevel
|
bulat | |
|
Panjang sampingan wafer |
210 ± 0.25 mm
|
Sistem pemeriksaan wafer |
|
Diameter wafer |
φ295 ± 0.25 mm |
Sistem pemeriksaan wafer |
|
Sudut antara sisi bersebelahan |
90 darjah ± 0.2 darjah |
Sistem pemeriksaan wafer |
|
Ketebalan |
180 ﹢ 20/﹣10 µm 175﹢ 20/﹣10 µm
170﹢ 20/﹣10 µm
165﹢ 20/﹣10 µm
160﹢ 20/﹣10 µm
150﹢ 10/﹣10 µm
|
Sistem pemeriksaan wafer |
|
TTV (jumlah variasi ketebalan) |
Kurang daripada atau sama dengan 27 µm |
Sistem pemeriksaan wafer |
4.Sifat permukaan
|
Harta |
Spesifikasi |
Kaedah pemeriksaan |
|
Kaedah pemotongan |
DW |
-- |
|
Kualiti permukaan |
Seperti yang dipotong dan dibersihkan, tiada pencemaran yang kelihatan, (minyak atau gris, cetakan jari, noda sabun, noda buburan, noda epoksi/gam tidak dibenarkan) |
Sistem pemeriksaan wafer |
|
Melihat tanda / langkah |
Kurang dari atau sama dengan 15μm |
Sistem pemeriksaan wafer |
|
Tunduk |
Kurang daripada atau sama dengan 40 μm |
Sistem pemeriksaan wafer |
|
Warp |
Kurang daripada atau sama dengan 40 μm |
Sistem pemeriksaan wafer |
|
Cip |
kedalaman kurang daripada atau sama dengan 0.3mm dan panjang kurang daripada atau sama dengan 0.5mm max 2/pcs; Tiada V-Chip |
Mata telanjang atau sistem pemeriksaan wafer |
|
Retak / lubang mikro |
Tidak dibenarkan |
Sistem pemeriksaan wafer |
Cool tags: N-Type M12 Monocrystalline Silicon Wafer Spesifikasi, China, Pembekal, Pengilang, Kilang, Dibuat di China
