Pengenalan Produk
Substrat SiC jenis P- direka bentuk untuk pertumbuhan homoepitaxial dan pembangunan peranti semikonduktor kuasa voltan ultra-tinggi-ultra. Dengan ciri elektrik dan haba yang sangat baik, prestasi-tinggi inisubstrat SiCsesuai untuk menuntut-aplikasi kuasa tinggi, termasuk penghantaran kuasa voltan ultra-tinggi-dan infrastruktur grid pintar.
Jenis P-iniwafer SiCturut menyokong aplikasi dalam transit rel, sistem kuasa industri dan peralatan elektrik-tinggi yang lain yang memerlukan-keupayaan voltan tinggi, kebolehpercayaan dan penukaran kuasa yang cekap.
Spesifikasi
| 6 inci | |
|---|---|
| Diameter | 150.0mm+0mm/-0.2mm |
| Orientasi Permukaan | 4 darjah ke arah<1120>±0.5 darjah |
| Panjang Rata Utama | 47.5mm±1.5mm |
| Orientasi Rata Utama | <1120>±5.0 darjah |
| Orientasi Takik | / |
| Sudut Takik | / |
| Kedalaman Takik | / |
| Ketebalan | 350.0um±25.0um |
| Politaip | 4H |
| taip | p-jenis |
| 8 inci | |
|---|---|
| Diameter | 200.0mm+0mm/-0.2mm |
| Orientasi Permukaan | 4 darjah ke arah<1120>±0.5 darjah |
| Panjang Rata Utama | Takik |
| Orientasi Rata Utama | / |
| Orientasi Takik | <1100>±1.0 darjah |
| Sudut Takik | 90 darjah +5 darjah /-1 darjah |
| Kedalaman Takik | 1.0mm+0.25mm/-0mm |
| Ketebalan | 350.0um±25.0um |
| Politaip | 4H |
| taip | p-jenis |
| 12 inci | |
|---|---|
| Diameter | 300.0mm±0.5mm |
| Orientasi Permukaan | 4 darjah ke arah<1120>±0.5 darjah |
| Panjang Rata Utama | Takik |
| Orientasi Rata Utama | / |
| Orientasi Takik | <1100>±5.0 darjah |
| Sudut Takik | 90 darjah +5 darjah /-1 darjah |
| Kedalaman Takik | 1.0mm+0.25mm/-0mm |
| Ketebalan | 750.0um±25.0um |
| Politaip | 4H |
| taip | p-jenis |
Sijil
Cool tags: 4H P-Jenis wafer SiC, China, pembekal, pengilang, kilang, buatan China
