Sumber: advancedsciencenews
Untuk meningkatkan kecekapan penukaran tenaga bagi sel solar silikon n-jenis dengan pemancar boron-doped, penggabungan caj pembawa di kawasan pemancar perlu dikurangkan. Untuk ini, bukan sahaja penggabungan pembawa caj di kawasan yang difoto (tidak bermeteralisasi) adalah relevan tetapi juga pada kenalan logam. Keperluan profil doping untuk mencapai penggabungan pembawa caj rendah sangat berbeza di kedua wilayah ini.
Salah satu penyelesaian untuk membentuk kawasan penghantar dopan yang berlainan adalah penggunaan pendekatan emitter terpilih yang dipilih. Oleh itu, doping yang lebih tinggi di bawah hubungan logam dicapai dengan memandu di atom boron tambahan dari lapisan borosilikat (BSG) - yang terbentuk semasa penyebaran bromon tribromide (BBr3) - melalui penyebaran laser. Untuk kejayaan pelaksanaan penyebaran laser, BSG perlu menyediakan boron yang mencukupi selepas penyebaran BBr3.
Konsep baru melampirkan langkah pengendapan kedua pada akhir penyebaran BBr3 diperkenalkan baru-baru ini oleh para penyelidik, di mana pemendapan kedua menerangkan aliran nitrogen aktif melalui bubbler BBr3. Pendekatan ini memberikan dos boron dua kali lebih tinggi dalam lapisan BSG berbanding dengan penyebaran BBr3 tanpa pemendapan kedua yang memudahkan pembentukan pemancar selektif laser-doped. Semasa penyebaran BBr3 lapisan tumpukan yang terdiri daripada BSG dan silikon dioksida perantaraan (SiO2) ditanam di permukaan silikon.
Langkah pengendapan kedua mengurangkan ketebalan lapisan SiO2 dan meningkatkan ketebalan lapisan BSG. Selepas laser doping, kepekatan pembawa caj lebih tinggi untuk proses penyebaran BBr3 dengan pemendapan kedua mengakibatkan doping tempatan yang lebih kuat. Pendekatan ini sangat menjanjikan untuk mengurangkan pengambilan pembawa caj dalam n-jenis sel solar silikon yang membolehkan peningkatan dalam kecekapan penukaran tenaga peranti sedemikian.