Satu metodologi adalah mengikuti laluan meningkatkan lebar merentasi wafer monokrystalline dari 125mm hingga 156mm, dan meningkatkan saiz modul, seperti 158.75mm pseudo-squaremonocrystallinewafer atau persegi penuhmonocrystallinewafer (wafer dimameter 223mm). 158.75mmdataran penuhmonocrystallinewafer (wafer dimameter 223mm) meningkatkan kawasan wafer sebanyak kira-kira 3.1% berbanding format M2, yang meningkatkan kuasa modul 60 sel oleh hampir 10Wp.
1 Sifat bahan
Hartanah | Spesifikasi | Kaedah Pemeriksaan |
Kaedah pertumbuhan | CZ | |
Kristalliniti | Monocrystalline
| Teknik Etch keutamaan（ASTM F47-88） |
Jenis kekeliritian | Jenis P | Napson EC-80TPN P/N |
Dopant
| Boron, Gallium
| - |
Kepekatan oksigen[Oi] | ≦8E+17 at/cm3 | FTIR (ASTM F121-83) |
Kepekatan karbon[Cs] | ≦5E+16 at/cm3 | FTIR (ASTM F123-91) |
Ketumpatan lubang Etch (ketumpatan dislocation) | ≦500 sm-3 | Teknik Etch keutamaan（ASTM F47-88） |
Orientasi permukaan | <100>±3° | Kaedah Perencanaan X-ray (ASTM F26-1987) |
Orientasi sisi persegi pseudo | <010>,<001>±3° | Kaedah Perencanaan X-ray (ASTM F26-1987) |
2 Sifat elektrik
Hartanah | Spesifikasi | Kaedah Pemeriksaan |
Rintangan | 0.5-1.5 Ωcm | Sistem pemeriksaan wafer |
MCLT (seumur hidup pembawa minoriti) | ≧50 μs | Sinton BCT-400 (dengan tahap suntikan: 1E15 Cm-3) |
3 Geometri
Hartanah | Spesifikasi | Kaedah Pemeriksaan |
Geometri | Dataran penuh | |
Panjang sisi wafer | 158.75±0.25 mm | sistem pemeriksaan wafer |
Wafer Diameter | φ223±0.25 mm | sistem pemeriksaan wafer |
Sudut antara sisi bersebelahan | 90° ± 0.2° | sistem pemeriksaan wafer |
Ketebalan | 180﹢20/﹣10 μm; 170﹢20/﹣10 μm | sistem pemeriksaan wafer |
TTV (Jumlah ketebalan variasi) | ≤27 μm | sistem pemeriksaan wafer |
4 Sifat permukaan
Hartanah | Spesifikasi | Kaedah Pemeriksaan |
Kaedah memotong | Dw | -- |
Kualiti permukaan | seperti dipotong dan dibersihkan, tiada pencemaran yang kelihatan, (minyak atau gris, cetakan jari, kotoran sabun, kotoran bubur, kotoran epoksi / gam tidak dibenarkan) | sistem pemeriksaan wafer |
Lihat markah / langkah | ≤ 15μm | sistem pemeriksaan wafer |
Tunduk | ≤ 40 μm | sistem pemeriksaan wafer |
Meledingkan | ≤ 40 μm | sistem pemeriksaan wafer |
Cip | kedalaman ≤0.3mm dan panjang ≤ 0.5mm Max 2/pcs; tiada V-cip | Mata kasar atau sistem pemeriksaan wafer |
Retak mikro / lubang | Tidak dibenarkan | sistem pemeriksaan wafer |
Cool tags: p jenis penuh monocrystalline solar wafer, China, pembekal, pengeluar, kilang, dibuat di China
